不久前，長江存儲宣布開始量產基于自主研發(fā)Xtacking架構的64層三維閃存(3D NAND)玩困，容量256Gb附扭，以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入式存儲等主流市場應用的需求;合肥長鑫存儲在9月20日的2019世界制造業(yè)大會上宣布，公司總投資約1500億元的DRAM芯片自主制造項目正式投產脉鼻。
近年來叔寓，雖然國內企業(yè)在NAND、DRAM存儲芯片領域持續(xù)發(fā)力度姑，打破了國際廠商的產品壟斷穷窃。但產品還處于量產初期，外企主導的市場地位很難撼動趁尼。
存儲芯片的重要性
存儲芯片是電子信息領域的重要戰(zhàn)略基礎元件埃碱，應用范圍極其廣泛。隨著5G時代的逐漸來臨弱卡，5G網絡將廣泛的應用于AI人工智能乃正、大數據住册、IOT平臺等領域婶博，豐富的使用場景必將帶來海量的數據，這其中會爆發(fā)巨大的存儲市場需求荧飞。
同時凡人，數據存儲的安全性關乎國家信息安全，因此發(fā)展擁有自主知識產權的存儲芯片是國家戰(zhàn)略所在叹阔。
我國存儲器市場需求龐大 但國產存儲芯片供給不足
存儲產業(yè)具有強周期性和高成長性挠轴，下游新興市場不斷涌現使得存儲器需求旺盛。中國是全球最大的半導體消費市場耳幢，存儲芯片的國內市場仍有待挖掘岸晦，潛力巨大。
2008-2015年中國NOR Flash市場規(guī)模從33.5億元達到了49億元痪僵，NAND Flash芯片從45.9億迅速增長到了939.2億元螃浑。雖然2018年存儲器產品價格受智能手機出貨量下降等因素下降較為明顯，但多樣化的市場需求使得存儲器銷售仍較為可觀暮诫。
圖1 2014-2018中國大陸集成電路及存儲器進口額情況(資料來源：中國海關總署)
從中國海關數據來看诵城，2018年我國進口芯片金額達到3120.58億美元(約合人民幣2.06萬億元)，創(chuàng)出歷史新高参唆。其中存儲芯片進口金額達到1230.7億美元慷组，占集成電路進口總額的38%且呈上升趨勢，其比重超過CPU躯殷、手機基帶等熱門芯片溢棱，國產存儲芯片供給嚴重不足繁莲。
全球存儲器市場呈現高度壟斷局面
存儲產業(yè)資金及技術門檻較高，在全球經歷產業(yè)轉移和企業(yè)兼并之后刊搁，市場呈壟斷競爭格局石葫。
圖2 2017年全球DRAM及NAND市場份額占比(資料來源：金智創(chuàng)新行研中心整理)
從當前DRAM的全球市場份額來看，三星钻局、SK海力士和美光占據了95%以上的市場份額汰寓，其中兩家韓國企業(yè)合計占有72%的份額，具有控制全球DRAM產品價格的實力苹粟，其他競爭對手很難突破目前的市場競爭格局有滑。
在NAND Flash市場，前5大企業(yè)占據了99%的市場份額嵌削，寡頭壟斷明顯;NOR Flash領域我國有兆易創(chuàng)新排在前列毛好，其他領域國內廠商的技術與規(guī)模差距明顯，自主產品亟待突破苛秕。
國內存儲企業(yè)不斷實現技術突破
存儲芯片是半導體行業(yè)最重要的產品肌访，其銷售額約占全球半導體行業(yè)總額的1/3。目前艇劫，我國在存儲芯片領域還處于落后狀態(tài)吼驶，但隨著國內政策及產業(yè)基金的不斷扶持，國內龍頭企業(yè)已經實現了重大的技術突破店煞，與國際一流產品的代差在逐漸縮小蟹演。
長江存儲是我國存儲領域的龍頭企業(yè)，2018年企業(yè)已經實現了32層3D NAND的小批量生產顷蟀，2019年基于自主研發(fā)Xtacking架構的64層3D NAND存儲器實現批量化生產酒请，預計2020年底其可望將產能提升至月產6萬片晶圓的水平。
這是中國首次實現64層3D NAND閃存芯片的量產展管，將中國與全球一線存儲廠商間的技術差距縮減至兩代陕牲。業(yè)內預計到2020年，長江存儲將直接跳躍到128層3D NAND的目標瓣老，繞開主要NAND制造商生產的96層閃存芯片芒极，屆時我國將達到世界一流廠商水平。
合肥長鑫是是中國大陸唯一擁有完整技術狞衷、工藝和生產運營團隊的DRAM公司剩耸，其DRAM產品19nm級第一代8Gb DDR4年底開始投產，滿產后可以達到每月36萬片產能久耍，且其重新設計的DRAM芯片士宏，最大限度的減少了對美國原產技術的使用，以避免像福建晉華一樣被美國制裁而出現生產停滯椭皿。
表1 我國存儲領域產能分布(資料來源：金智創(chuàng)新行研中心整理)
結語
我國半導體產品對外依存度高掐悄，國產替代空間巨大孟景，疊加政府在政策、資金帅刀、稅收等方面給予大力支持让腹，及半導體產業(yè)向國內轉移的大趨勢，中國存儲產業(yè)將迎來關鍵發(fā)展機遇扣溺。
目前骇窍，在存儲領域國內企業(yè)已在奮力追趕，形成長江存儲锥余、合肥長鑫腹纳、紫光存儲三大陣營，分別專注于NAND Flash驱犹、DRAM和利基型DRAM嘲恍。隨著中國存儲器產品逐步成熟、關鍵技術的不斷突破雄驹，國內存儲芯片將與國際領先廠商的差距越來越小佃牛，國產替代未來可期。
近年來叔寓，雖然國內企業(yè)在NAND、DRAM存儲芯片領域持續(xù)發(fā)力度姑，打破了國際廠商的產品壟斷穷窃。但產品還處于量產初期，外企主導的市場地位很難撼動趁尼。
存儲芯片的重要性
存儲芯片是電子信息領域的重要戰(zhàn)略基礎元件埃碱，應用范圍極其廣泛。隨著5G時代的逐漸來臨弱卡，5G網絡將廣泛的應用于AI人工智能乃正、大數據住册、IOT平臺等領域婶博，豐富的使用場景必將帶來海量的數據，這其中會爆發(fā)巨大的存儲市場需求荧飞。
同時凡人，數據存儲的安全性關乎國家信息安全，因此發(fā)展擁有自主知識產權的存儲芯片是國家戰(zhàn)略所在叹阔。
我國存儲器市場需求龐大 但國產存儲芯片供給不足
存儲產業(yè)具有強周期性和高成長性挠轴，下游新興市場不斷涌現使得存儲器需求旺盛。中國是全球最大的半導體消費市場耳幢，存儲芯片的國內市場仍有待挖掘岸晦，潛力巨大。
2008-2015年中國NOR Flash市場規(guī)模從33.5億元達到了49億元痪僵，NAND Flash芯片從45.9億迅速增長到了939.2億元螃浑。雖然2018年存儲器產品價格受智能手機出貨量下降等因素下降較為明顯，但多樣化的市場需求使得存儲器銷售仍較為可觀暮诫。
圖1 2014-2018中國大陸集成電路及存儲器進口額情況(資料來源：中國海關總署)
從中國海關數據來看诵城，2018年我國進口芯片金額達到3120.58億美元(約合人民幣2.06萬億元)，創(chuàng)出歷史新高参唆。其中存儲芯片進口金額達到1230.7億美元慷组，占集成電路進口總額的38%且呈上升趨勢，其比重超過CPU躯殷、手機基帶等熱門芯片溢棱，國產存儲芯片供給嚴重不足繁莲。
全球存儲器市場呈現高度壟斷局面
存儲產業(yè)資金及技術門檻較高，在全球經歷產業(yè)轉移和企業(yè)兼并之后刊搁，市場呈壟斷競爭格局石葫。
圖2 2017年全球DRAM及NAND市場份額占比(資料來源：金智創(chuàng)新行研中心整理)
從當前DRAM的全球市場份額來看，三星钻局、SK海力士和美光占據了95%以上的市場份額汰寓，其中兩家韓國企業(yè)合計占有72%的份額，具有控制全球DRAM產品價格的實力苹粟，其他競爭對手很難突破目前的市場競爭格局有滑。
在NAND Flash市場，前5大企業(yè)占據了99%的市場份額嵌削，寡頭壟斷明顯;NOR Flash領域我國有兆易創(chuàng)新排在前列毛好，其他領域國內廠商的技術與規(guī)模差距明顯，自主產品亟待突破苛秕。
國內存儲企業(yè)不斷實現技術突破
存儲芯片是半導體行業(yè)最重要的產品肌访，其銷售額約占全球半導體行業(yè)總額的1/3。目前艇劫，我國在存儲芯片領域還處于落后狀態(tài)吼驶，但隨著國內政策及產業(yè)基金的不斷扶持，國內龍頭企業(yè)已經實現了重大的技術突破店煞，與國際一流產品的代差在逐漸縮小蟹演。
長江存儲是我國存儲領域的龍頭企業(yè)，2018年企業(yè)已經實現了32層3D NAND的小批量生產顷蟀，2019年基于自主研發(fā)Xtacking架構的64層3D NAND存儲器實現批量化生產酒请，預計2020年底其可望將產能提升至月產6萬片晶圓的水平。
這是中國首次實現64層3D NAND閃存芯片的量產展管，將中國與全球一線存儲廠商間的技術差距縮減至兩代陕牲。業(yè)內預計到2020年，長江存儲將直接跳躍到128層3D NAND的目標瓣老，繞開主要NAND制造商生產的96層閃存芯片芒极，屆時我國將達到世界一流廠商水平。
合肥長鑫是是中國大陸唯一擁有完整技術狞衷、工藝和生產運營團隊的DRAM公司剩耸，其DRAM產品19nm級第一代8Gb DDR4年底開始投產，滿產后可以達到每月36萬片產能久耍，且其重新設計的DRAM芯片士宏，最大限度的減少了對美國原產技術的使用，以避免像福建晉華一樣被美國制裁而出現生產停滯椭皿。
表1 我國存儲領域產能分布(資料來源：金智創(chuàng)新行研中心整理)
結語
我國半導體產品對外依存度高掐悄，國產替代空間巨大孟景，疊加政府在政策、資金帅刀、稅收等方面給予大力支持让腹，及半導體產業(yè)向國內轉移的大趨勢，中國存儲產業(yè)將迎來關鍵發(fā)展機遇扣溺。
目前骇窍，在存儲領域國內企業(yè)已在奮力追趕，形成長江存儲锥余、合肥長鑫腹纳、紫光存儲三大陣營，分別專注于NAND Flash驱犹、DRAM和利基型DRAM嘲恍。隨著中國存儲器產品逐步成熟、關鍵技術的不斷突破雄驹，國內存儲芯片將與國際領先廠商的差距越來越小佃牛，國產替代未來可期。
18221259202