2017年Q4全球存儲市場增長13.7%

根據IDC全球企業(yè)存儲系統(tǒng)季度追蹤報告顯示盹扮，2017年第四季度全球企業(yè)存儲系統(tǒng)工廠收入同比增長13.7%胶僵，達到136億美元，總出貨量達到了89.2EB衬朗，同比增長39.3%。ODM營收繼續(xù)增長掂演，同比增長34.3%捧贺，達到28億美元。該季度基于服務器的存儲銷售額增長23.8%栓拜，收入達到42億美元座泳。外部存儲系統(tǒng)仍是最大的細分市場，銷售額達到66億美元幕与，同比增長1.8%挑势。

IHS：2017全球監(jiān)控存儲系統(tǒng)市場將達17億美元

據IHSMarkit預測，2018年全球視頻監(jiān)控攝像機出貨量將達1.3億臺，相比2006年的1000萬臺潮饱，增長量顯著来氧。隨著攝像機需求的增長，用戶對于其相關的存儲需求亦在同步上升香拉。據估計啦扬，用于視頻監(jiān)控存儲的外部系統(tǒng)(SAN/NAS/DAS)的市場估計在2017年達17億美元。

研究機構預測2018年服務器存儲市場增長36%

據中國證券網報道凫碌，半導體領域權威研究機構集邦咨詢在慕尼黑上海電子展會期間提出扑毡，2018年伴隨著多個新建晶圓廠實現量產，中國半導體產業(yè)將強勢崛起盛险，各個領域商機將顯現瞄摊。集邦咨詢記憶存儲事業(yè)部研究副總郭祚榮表示，2018年繼續(xù)看好服務器存儲市場颅婴。“服務器存儲市場沒有天花板颈缆。”他預測，2018年服務器內存市場增幅有望達到36%扑详，遠高于2017年23%的增速媚尊。

存儲器需求迎來“超級周期”

在新的全球信息化浪潮背景下，全球范圍出現半導體存儲器短缺涕留。有觀點認為褂反，半導體行業(yè)進入了需求呈跨越式增長的“超級周期”階段。而在供應短缺以及高增長的背后唁返，壟斷之勢也越發(fā)明顯娇仙。據數據調查顯示，僅三星電子辨迷、SK海力士尾贮、英特爾、美光科技以及東芝半導體等五家美日韓半導體企業(yè)袁暗，幾乎壟斷了全球95%左右的存儲器市場怔巷。而作為全球最大的電子產品的生產地、消費市場讯屈，讓中國成為這一波漲價最大的承壓市場蛋哭。

存儲價格飆升加速國產存儲器產業(yè)布局

從2016年開始，一路飆升的存儲價格正在侵蝕整機廠商的銷售利潤涮母。不管是DRAM還是NANDFLASH谆趾，一年多的是時間里，幾乎每個季度價格都在創(chuàng)新高叛本。此次內存漲價沪蓬，不斷極大的蠶食了電子整機企業(yè)的利潤彤钟，而且對產業(yè)的發(fā)展也帶來影響。存儲器對中國信息產業(yè)發(fā)展至關重要跷叉。中國科學院微電子研究所所長葉甜春在國際集成電路產業(yè)發(fā)展高峰論壇上呼吁：“未來30年逸雹，如果我們不解決存儲芯片自己制造的問題，所謂的信息化時代會失去一個非常重要的依托和基礎性芬。”

發(fā)展國產存儲器不僅可以滿足國內巨大需求市場峡眶，帶動整個集成電路產業(yè)鏈的良性發(fā)展，還可以徹底改變存儲器受制于人的不利局面植锉，也是在半導體產業(yè)發(fā)展方面趕超發(fā)達國家的有效途徑骡榨。目前，各地方政府通過設立大規(guī)模的投資基金奕截，支持存儲產業(yè)寻僧。截至2017年上半年，地方政府設立的集成電路投資基金規(guī)模已超過3000億元噪境。2016-2017年之間堪渠，全球確定新建的19座晶圓廠有10家位于中國大陸。今年10月半泪，國家發(fā)展改革委陶握、工信部聯合下達2017年集成電路重大專項投資計劃，福建晉華DRAM存儲器項目獲批2億元效勺，廈門三安通訊微電子器件項目獲批0.5億元禁歧。總規(guī)模300億元的安徽省集成電路產業(yè)投資基金于18日正式設立嘉容。安徽省計劃到2020年架独，建設3條12英寸晶圓生產線和3條以上8英寸特色晶圓生產線，綜合產能超20萬片/月饿呢，產值達到500億元脖旱。

中國存儲芯片行業(yè)崛起

半導體市場調查公司ICInsights近日發(fā)表預測，國際存儲芯片市場的超級景氣將于今年內結束介蛉，主要原因是中國業(yè)者將于今年底實現存儲芯片量產萌庆。

我國存儲芯片行業(yè)的動向不只影響著整個國際半導體市場，也成為三星電子币旧、SK海力士等存儲芯片壟斷企業(yè)營業(yè)利潤和股價的最大變數践险，一直以來在這一領域保持領先的韓國企業(yè)感受到了真切的威脅。近日韓國媒體《韓國經濟新聞》以“快馬加鞭的中國半導體崛起”報道了中國存儲芯片產業(yè)的快速發(fā)展佳恬。報道認為捏境，在中國政府的政策和資金支持下于游，中國存儲芯片企業(yè)用了不到3年時間毁葱，已經成長到跟生產了20年半導體的臺灣企業(yè)不相上下的水平垫言，韓國企業(yè)應提防中國向當年三星超越日本企業(yè)一樣，被長江存儲倾剿、合肥長鑫等企業(yè)超越筷频。

存儲器國產化要邁三道坎

中囯已有三家企業(yè)向存儲器芯片制造發(fā)起沖鋒，分別是武漢長江存儲的32層3DNAND閃存前痘、福建晉華的32納米DRAM利基型產品涯馆，以及合肥長鑫(睿力)的19納米DRAM。而且三家都聲稱2018年年底前將實現試產崎爽，開通生產線俺埋。如果再計及紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地，總計已有5處摹撰。對于中國上馬存儲器制造俄脂，可能會面臨三個主要難關：技術、成本與價格行翘、專利相吭。

從態(tài)勢分析，對于第一個難關领末，突破技術難點郊拄，成功試產，對于中國存儲器廠商可能都不是問題痘涧，顯然2018年相比2017年的投資壓力會增大楚陶。

預計最困難的是第二個難關，產能爬坡捺氢，進入拼產品成本與價格的階段藻丢。這兩者聯在一起、相輔相成摄乒，當成本增大時悠反，產能爬坡的速率一定會放緩，很難馬上擴充至5萬到10萬片馍佑。因為與對手相比斋否，在通線時我們的產能僅為5000至1萬片，對手已超過10萬片拭荤，且其成品率近90%茵臭，而我們的成品率約為70%~80%……所以不容置疑，成本差異非常明顯舅世，因此旦委，要看我們的企業(yè)從資金方面能夠忍受多長時間的虧損。從這點看雏亚，中國存儲器業(yè)最艱難的時刻應該在2019年或者之后缨硝。

第三個難關是專利糾紛摩钙，中國做DRAM怎么能不踩專利的“紅線”，而且不可預測對手會如何出招谎拴，這是中國半導體業(yè)成長必須付出的代價荚谢。因此從現在開始就要準備專利方面的律師及材料，迎接戰(zhàn)斗呐品。中國半導體業(yè)一定要重視知識產權保護凯挟，這是邁向全球化的必由之路。

結語

國產存儲器想要真正逆襲垒汉，依然面臨諸多挑戰(zhàn)辱滤，一個是技術差距，另一個是制作水平的薄弱盛闻。2018將成為中國存儲器發(fā)展的關鍵年媳惦，希望在強有力的政策支持下，加上國內廠商的不懈努力讯谎，中國存儲器能在不久的將來真正引領世界碎员。