梁孟松是臺(tái)積電的技術(shù)研發(fā)大將，2003年臺(tái)積電以自主技術(shù)擊敗IBM揚(yáng)名全球的130nm“銅工藝”贷掖，被認(rèn)為梁孟松的功勞僅次于資深研發(fā)副總蔣尚義嫡秕，可見梁孟松對(duì)臺(tái)積電的重要性。隨后他在臺(tái)積電的工藝演進(jìn)中繼續(xù)擔(dān)任重要角色苹威，更是FinFET工藝的重要負(fù)責(zé)人昆咽。

梁孟松出走三星后，三星從28nm跳躍至14nmFinFET阿魏，并先于臺(tái)積電的16nmFinFET約半年時(shí)間量產(chǎn)鉴梦，并在隨后的10nm工藝上再次領(lǐng)先臺(tái)積電量產(chǎn)，據(jù)說他還參與三星的7nm工藝研發(fā)耘泰，三星方面已確定明年下半年量產(chǎn)引入EUV技術(shù)的7nm工藝逐茄，而臺(tái)積電明年量產(chǎn)的7nm工藝未加入EUV技術(shù)要到后年才能加入該技術(shù)，這意味著三星將再次在7nm工藝上領(lǐng)先臺(tái)積電嘀醋。

由此可見梁孟松在芯片制造工藝研發(fā)上所擁有的強(qiáng)大實(shí)力张域，也因此當(dāng)外界傳聞他將加入中芯國際后各方均極為矚目，如今該消息坐實(shí)并且他將擔(dān)任中芯國際的共同CEO讲侵，也可見中芯國際對(duì)他的重視蚪录。

除了梁孟松外，同樣為臺(tái)積電的芯片制造工藝做出重要貢獻(xiàn)的蔣尚義也已加入中芯國際并擔(dān)任獨(dú)立董事耸壮，兩位臺(tái)積電前重要技術(shù)專家的加入粤街，讓中國業(yè)界對(duì)中芯國際在先進(jìn)工藝研發(fā)上取得突破抱有期待。

中芯國際已投產(chǎn)28nm工藝笑驶，目前正在研發(fā)14nmFinFET并預(yù)期明年試產(chǎn)职颜，梁孟松和蔣尚義的加入或許有助于中芯國際的14nmFinFET如期投產(chǎn)，應(yīng)對(duì)臺(tái)積電在中國大陸建設(shè)的南京工廠帶來的挑戰(zhàn)嫌变。

臺(tái)積電面對(duì)中國大陸迅速發(fā)展的芯片產(chǎn)業(yè)當(dāng)然心動(dòng)真仲，此前它已有上海松江廠，不過松江廠主要生產(chǎn)8寸晶圓無法滿足大陸芯片企業(yè)的需求初澎，南京廠則生產(chǎn)12寸晶圓并且將引入16nmFinFET工藝秸应，這對(duì)中芯國際來說是非常大的挑戰(zhàn)，迫使中芯國際需要及時(shí)投產(chǎn)14nmFinFET工藝予以應(yīng)對(duì)碑宴。

梁孟松的加入還將有助于中芯國際研發(fā)更先進(jìn)的10nm甚至7nm工藝软啼，從梁孟松加入三星之后幫助它在14nmFinFET、10nm、7nm工藝的研發(fā)可知他的實(shí)力祸挪，而中芯國際任命他擔(dān)任共同CEO很可能會(huì)委任他負(fù)責(zé)工藝研發(fā)工作锣披，再加上大陸集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持，中芯國際在先進(jìn)工藝上預(yù)計(jì)將迅速取得突破贿条。

中國的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)已取得許多優(yōu)異的成績(jī)雹仿，手機(jī)芯片行業(yè)成長起了華為海思、展訊等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)整以，平板芯片企業(yè)則有瑞芯微胧辽，穿戴設(shè)備有君正，唯獨(dú)在芯片制造方面稍微落后勒蜘，中芯國際作為中國大陸最大的芯片制造企業(yè)承擔(dān)了推進(jìn)先進(jìn)工藝研發(fā)的重任悄锈，如它在先進(jìn)工藝方面取得突破，中國芯片產(chǎn)業(yè)整體將會(huì)同步前進(jìn)炊惊，也將有助于中國制造向中國創(chuàng)造轉(zhuǎn)型菌渐。