| 分辨率 | 3/5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器 |
|---|---|
| 靈敏度 | 5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器 |
| 漂移 | InGaAsPIN |
| 輸出信號 | 模擬型 |
| 線性度 | InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器 |
| 制作工藝 | 陶瓷 |
| 重復性 | 3/5mm InGaAsPIN |
| 遲滯 | 5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器 |
| 品牌 | mezen |
| 型號 | 銦鎵砷光電探測器 |
3/5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測器
通過對InGaAs材料的光譜響應特性分析，以及對InGaAs材料的一系列優(yōu)點了解，表明了InGaAs是一種在短波紅外領域極有前景的探測器材料。如今，國外高性能、大面陣的InGaAs焦平面陣列技術(shù)獲得比較成熟的發(fā)展，已在科學、軍事、民用等方面的微光夜視**制導、空間遙感、近紅外光譜分析、工業(yè)控制、生物醫(yī)療和航天航空等領域獲得廣泛的應用；而在國內(nèi)，InGaAs焦平面陣列的研究起步較晚，能夠成功工程化應用的產(chǎn)品還很少。因此，加快InGaAs短波紅外探測器的研制，特別是近室溫InGaAs短波紅外焦平面探測器的研制和開發(fā)，對我國的紅外事業(yè)而言具有非常重要的戰(zhàn)略意義。
（1）各模塊應以同一方式處理，作為普通半導體器件防止靜電損壞，對安全性和攜帶性，各模塊應采用防靜電材料，在印刷電路板上組裝模塊工作臺，焊接鐵和人體應接地。（2）請?zhí)貏e注意大氣狀況，因為該露水在模塊可能會導致一些電氣損壞。（3）在汽車、性能及不保證可靠性。