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首頁 > 供應產(chǎn)品 > SiC模塊替代英飛凌Fuji富士三菱賽米控丹佛斯IGBT模塊
SiC模塊替代英飛凌Fuji富士三菱賽米控丹佛斯IGBT模塊
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更新 2024-10-29 17:47
 
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國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

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大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案殉农,控制復雜刀脏,頻率低,采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進行兩電平改造超凳,控制簡單可靠愈污,頻率提升,電感成本降低轮傍,MPPT部分提升效率暂雹,降低成本。


IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展抱典,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小衔耕。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性绵另。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗悬鲜,從而提高開關(guān)頻率。進一步的姨莽,可以優(yōu)化濾波器組件厉源,相應的損耗會下降既蛙,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊毕亲,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比农帝,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化)项蝉,同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值舆飒。


未來隨著設備和工藝能力的推進,更小的元胞尺寸白找、更低的比導通電阻能真、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向扰柠,體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性粉铐。

為此,BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET卤档,該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層蝙泼,提升可靠性,相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導通電阻劝枣、器件開關(guān)損耗汤踏,以及更高可靠性等優(yōu)越性能,可助力光伏儲能舔腾、新能源汽車溪胶、直流快充、工業(yè)電源稳诚、通信電源哗脖、伺服驅(qū)動、APF/SVG扳还、熱泵驅(qū)動才避、工業(yè)變頻器、逆變焊機掰废、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性囤乎。


為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求揖帕,BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ敢薄、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,產(chǎn)品具有低導通電阻挎茂、低導通損耗艇线、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應用需求游鹿,BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET盔惑,可主要應用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。

B3M040120Z是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品义誓,該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層律坎,提升可靠性,相對于上一代產(chǎn)品在比導通電阻蟋定、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進一步提升粉臊。

BMF240R12E2G3是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊,產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器驶兜、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板扼仲,在導通電阻、開關(guān)損耗抄淑、抗誤導通屠凶、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊肆资,主要應用于OBC矗愧、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列郑原,此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設計唉韭,可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,還可用于驅(qū)動MOSFET颤专、IGBT等功率器件。



為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢钠乏,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益衙猾,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸诽祠,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降斧与,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。



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