國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

基本SiC模塊替代Infineon英飛凌IGBT模塊空闲，基本SiC模塊替代三菱IPM模塊扁达，基本SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊，基本SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊惯豆，基本SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊池磁！

使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng)！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT變流器葬籽，實現(xiàn)更高的變流效率捻尉，更小的變流體積重量！更低的變流成本努示！

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET模塊在電力電子應(yīng)用全面取代IGBT模塊國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET單管在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET650V國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電源應(yīng)用中全面取代super junction超結(jié)MOSFET!

隨著銅價暴漲高燒不退候钟，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊盾峭，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件滤萝，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代碗履，未來已來谭驮！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET！ 傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT勾萌！

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT桑抱，全力推動國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H尼荆，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H唧垦，IMYH200R024M1H捅儒，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11振亮，F(xiàn)F4MR20KM1HP巧还，F(xiàn)F3MR20KM1H，F(xiàn)F5MR20KM1HP坊秸，F(xiàn)F5MR20KM1H麸祷，F(xiàn)F4MR20KM1H，F(xiàn)F3MR20KM1HP褒搔。

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11阶牍，F(xiàn)F900R17ME7W_B11，F(xiàn)F450R12KT4星瘾，F(xiàn)F600R12ME4_B72走孽，F(xiàn)F750R12ME7_B11，F(xiàn)F900R12ME7P_B11琳状，IFF600B12ME4_B11伶葵，F(xiàn)F600R12KE4

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1菜册，SKKE60S12蕴续，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2蓄棘，SK200MB120CR03TE2贰宰，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1褥欺，SK250MB120CR03TE2眷抠，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17闺蜈，SKM500MB120SC漏踊，SKM260MB170SCH17

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50娱畔，2MBI600XNG120-50览讳，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50部凑，2MBI450XNA170-50露乏，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50涂邀，2CSI300DAHE120-50瘟仿，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50比勉，2CSI200DAHE170-50劳较，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣浩聋！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng)观蜗，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS衣洁，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器墓捻，固態(tài)變壓器等。

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案坊夫，控制復(fù)雜砖第，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造蛾藐，控制簡單可靠弯枢，頻率提升，電感成本降低坦妙，MPPT部分提升效率涡瀑，降低成本。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展璃帘，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小婉错。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性熬魄。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗姐药，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的滔壳，可以優(yōu)化濾波器組件削晦，相應(yīng)的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗武填。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊挥昵，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比唆阿，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化）锈锤，同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值驯鳖。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸久免、更低的比導(dǎo)通電阻浅辙、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向阎姥，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性记舆。

為此，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET呼巴，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層泽腮，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻伊磺、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能删咱，可助力光伏儲能屑埋、新能源汽車、直流快充凭坪、工業(yè)電源肤俱、通信電源、伺服驅(qū)動连谁、APF/SVG绸搞、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器醋皂、逆變焊機亭结、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓辖芍、大功率的應(yīng)用需求臀嘱，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET所硅，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻嘴父、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗营稼、支持更高開關(guān)頻率運行等特點企悦。

針對新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET宏赘，可主要應(yīng)用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中绒北。

B3M040120Z是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品黎侈，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性镇饮，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻蜓竹、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊储藐，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器俱济、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻钙勃、開關(guān)損耗蛛碌、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色辖源。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊蔚携，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中克饶。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列那辰，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通玲侧，還可用于驅(qū)動MOSFET绑燃、IGBT等功率器件。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢符破，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益出毁，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸瞭阔，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降管剂，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本?（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊撵靴，BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET崇槽，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊招砌，BASiC基本?I型三電平IGBT模塊惶政，BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?混合SiC-IGBT單管矮男，BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊移必，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350，單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器毡鉴，雙向AC-DC電源崔泵，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機猪瞬，儲能變流器憎瘸，儲能PCS,雙向LLC電源模塊入篮，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器幌甘，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域潮售。在汽車電驅(qū)動，新能源汽車電驅(qū)锅风，汽車碳化硅電驅(qū)動酥诽，光伏逆變器、光儲一體機皱埠、儲能變流器PCS肮帐、OBC車載充電器，熱管理電動壓縮機驅(qū)動器番搅，制氫電源代徒，伺服驅(qū)動，電機邊沁脾氣瘸拳，射頻電源昔黍，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅(qū)動眠乏，大功率工業(yè)電源伴糟，工商業(yè)儲能變流器，變頻器炮罩，輔助電源棺距，高頻逆變焊機余二，高頻伺服驅(qū)動圃匙，AI服務(wù)器電源，算力電源秕肌，數(shù)據(jù)中心電源炎蹬，機房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展好唯！

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管竭沫，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET骑篙，氮化鎵GaN蜕提，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源靶端、交通電動化谎势、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源杨名，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈脏榆。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下猖毫，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)须喂、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)吁断，以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化坞生，以及“源仔役、網(wǎng)、荷马前、儲痪猛、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向居截，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品算换，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)六呼，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束客惨，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束刨税，直流充電座践赁，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品筏所，包括線對板胧扇、板對板、輸入輸出蜀悯、電源管理和FFC-FPC連接器牢贸，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器镐捧。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET潜索，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊懂酱，IGBT模塊竹习，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊列牺，IGBT單管整陌，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊瞎领，混合IGBT模塊泌辫，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET默刚，逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET甥郑，OBC車載SiC碳化硅MOSFET逃魄，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET澜搅，國產(chǎn)氮化鎵GaN窄兜，隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè)屋犯，新能源汽車電控系統(tǒng)恤兴，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)滑期，全液冷超充闽但，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊账阳，歐標(biāo)充電樁阁喉，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器狡氏，分布式能源噪设、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)伍毙、V2X乔墙、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲丐重，智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用腔召，傾佳電子（Changer Tech）為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心扮惦、零碳網(wǎng)絡(luò)臀蛛、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻(xiàn)径缅，邁向數(shù)字能源新時代掺栅！